在“主要部件的選定－MOSFET相關(guān) 其1”中選定MOSFET Q1，接下來將建構(gòu)MOSFET外圍的電路。

    首先，來重溫電路工作。以D4、R5、R6調(diào)整從IC的OUT（PWM輸出）端輸出的信號，讓MOSFET Q1能夠正確工作，然后再驅(qū)動MOSFET的柵極。MOSFET Q1開/關(guān)經(jīng)過整流且流向變壓器 T1  側(cè)的高電壓，將其電能傳送至二次側(cè)。Q1在ON時Ids流動，但因為并非無限制流動，是故利用R8檢測電流并加以限制。

    首先，本稿決定調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動的電路、二極管 D4、電阻R5、R6，其次，決定限流和斜率補償上必要的電流檢測電阻R8。

    MOSFET 柵極電路 R5、R6、D4

    為了驅(qū)動MOSFET，從電源IC的PWM輸出的輸出信號，但如果直接和MOSFET的柵極相接，反而無法獲得  工作狀態(tài)，必須配合電路和要求的特性進行調(diào)整。具體來說，就是將MOSFET的開關(guān)損耗和噪聲優(yōu)化。

    分別調(diào)整MOSFET的ON和OFF的速度，在開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲的妥協(xié)點工作。所謂妥協(xié)點，正是因為開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲互呈反比所形成的。提升開關(guān)速度后，開關(guān)損耗將減少。然而，開關(guān)速度變快時，電流會急劇發(fā)生變化，造成開關(guān)噪聲變大。

    柵極電路的常量是難以經(jīng)由事先決定的公式計算出來。因此，從電源IC技術(shù)規(guī)格的電路圖上，所標示的數(shù)值開始，  再實機工作看看，確認MOSFET溫度上升是否位在容許范圍內(nèi)，也就是檢查開關(guān)損耗。此外，還要進行開關(guān)噪聲的測量，確認其在適當?shù)姆秶?/p>

    MOSFET ON時的速度用R5和R6進行調(diào)整

    MOSFET OFF時的清電荷用二極管D4，以R5進行調(diào)整

    選擇工作電流模式的不連續(xù)模式后，MOSFET ON時基本上不會發(fā)生開關(guān)損耗，而OFF時損耗則可控制的。為減輕MOSFET OFF時的開關(guān)損耗，縮小R5且提升OFF速度，但電流急劇變化，造成開關(guān)噪聲變大。此次范例電路中提出了下列幾項。

    R5＝22Ω 0.25W、R6＝150Ω、D4：RB160L-60 （肖特基二極管 60V/1A）

    為了在MOSFET OFF時，高速消除柵極電荷，而使用了二極管 D4。損耗變小且高速，因此選擇肖特基勢壘二極管。

    作為注意事項，由于脈沖電流會流過R5，因此請確認使用的電阻能承受脈沖電流。

    電流檢測電阻 R8

    和MOSFET源極相接的電阻中，源極端和電源IC的CS引腳相接，另一端則是和GND相接。MOSFET OFF時，利用流向R8的電流所產(chǎn)生電壓下降現(xiàn)象，驅(qū)動CS引腳。就功能而言，擁有限制流向  側(cè)的電流、在針對輸出過負載的保護、控制電流模式的斜率補償3個功能。CS引腳的詳細內(nèi)容請參照電源IC BM1P061FJ的技術(shù)規(guī)格。

    由于擁有多種功能，因此有時會因為變壓器  側(cè)的電感，以及輸入電壓而受到限制，經(jīng)由下列公式計算出R8。Ippk或Duty則是在“變壓器設(shè)計（數(shù)值計算）”來計算。Vcs根據(jù)BM1P061FJ的CS引腳電壓的規(guī)格計算為0.4V。

    計算結(jié)果R8為0.2Ω。

    此外，經(jīng)由下列公式計算出檢測電阻R8的損耗P_R8。

    考慮計算結(jié)果和耐脈沖電流，選擇能承受1W以上的容許電阻。就算功率額定值相同，也可能因為電阻構(gòu)造等，而改變耐脈沖電流特性，因此必須向所用電阻廠商確認。

    因而，本節(jié)決定了MOSFET四周部件的常量。在計算公式之外，再根據(jù)經(jīng)驗法則和實機確認等，或許仍無法完全了解，而電源設(shè)計上卻存在許多這類的情況。