變壓器的設(shè)計(jì)結(jié)束，接下來(lái)是開(kāi)關(guān)元件，本節(jié)說(shuō)明MOSFET Q1的選定和相關(guān)電路構(gòu)成。

      初，根據(jù)開(kāi)關(guān)電壓或電流等來(lái)選定MOSFET Q1。對(duì)此，本稿將說(shuō)明“主要部件的選定－MOSFET相關(guān) 其1”。

    接著決定調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的電路、二極管 D4、電阻R5、R6，而且，決定限流和斜率補(bǔ)償上必要的電流檢測(cè)電阻R8。這部分將在“主要部件的選定－MOSFET相關(guān) 其2”中說(shuō)明。

    先說(shuō)明此部分電路如何說(shuō)明。以D4、R5、R6調(diào)整從IC的OUT（PWM輸出）端輸出的信號(hào)，讓MOSFET Q1能夠正確工作，然后再驅(qū)動(dòng)MOSFET的柵極。MOSFET Q1開(kāi)/關(guān)經(jīng)過(guò)整流且流向變壓器 T1  側(cè)的高電壓，將其電能傳送至二次側(cè)。Q1在ON時(shí)Ids流動(dòng)，但因?yàn)椴⒎菬o(wú)限制流動(dòng)，是故利用R8檢測(cè)電流并加以限制。請(qǐng)參照“絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì)”項(xiàng)中的整體電路內(nèi)容。

    MOSFET Q1的選定

    首先，要先理解只有紙上談兵是難以進(jìn)行MOSFET的選定，但仍然必須依賴過(guò)往的經(jīng)驗(yàn)法則。而且，  實(shí)機(jī)確認(rèn)必須降額至哪個(gè)程度后，再來(lái)決定MOSFET。

    MOSFET的選定時(shí)，基本的探討事項(xiàng)有以下幾個(gè)。

      漏極－源極間電壓（Vds）

    峰值電流

    導(dǎo)通電阻（Ron）的損耗

    封裝  容許損耗（Pd）

    未曾有過(guò)相關(guān)經(jīng)驗(yàn)法則時(shí)，將沒(méi)有任何根據(jù)幫助自己做出選擇，此時(shí)可以考慮Vds和Ids。

    ① Vds(max)

    可經(jīng)由下列公式算計(jì)Vds(max)。

    Vds(max) = Vin(max)+VOR+Vspike

    =264V×1.41＋(12V＋1V)×30/6＋Vspike＝437V＋Vspike*

    VOR：VO＝Vout＋VF乘上變壓器的匝數(shù)比Np：Ns參照“變壓器設(shè)計(jì)（數(shù)值計(jì)算）”。

    Vin(max）：可支持  AC電壓峰值（264V×√2）

    Vspike：峰波電壓

    *不容易計(jì)算Vspike，因此本例題中，在增加緩沖電路的前提下，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)法則決定為400V。

    ② Ids

    Ids以選定Ippk×2左右的元件為標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)“變壓器設(shè)計(jì)（數(shù)值計(jì)算）”

    Ippk＝2.32A

    Ids＝2.32×2＝4.64A

    根據(jù)上述結(jié)果，選定Vds(max)達(dá)800V左右、Ids達(dá)5A左右的MOSFET。例題的電路選定ROHM的R8005ANX（800V、5A）。此外，該MOSFET的導(dǎo)通電阻 1.6Ω，封裝則是TO-220F。

    再來(lái)，實(shí)際使用上述的MOSFET，在電路測(cè)量Vds、Ids和發(fā)熱狀況，確認(rèn)降額足夠。輸入電壓低時(shí)，MOSFET的ON時(shí)間會(huì)變長(zhǎng)，因?qū)娮鑂on損耗發(fā)熱增大，特別是采用國(guó)際通用規(guī)格輸入（AC85V～AC264V）時(shí)更是必須多加注意。必要時(shí)加裝散熱器作為散熱對(duì)策。

    視MOSFET的廠商而定，提出損耗的測(cè)量方法或進(jìn)行確認(rèn)的方法。以下示例僅供參考。

    從摘錄網(wǎng)站畫(huà)面中的①開(kāi)始，操作鼠標(biāo)依序點(diǎn)擊后，就可以閱覽計(jì)算元件溫度和判定能否使用的方法。對(duì)于實(shí)機(jī)操作時(shí)的確認(rèn)作業(yè)應(yīng)該有所幫助。

    因而，  終選定MOSFET。到此，至于柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路和電流檢測(cè)電阻將在“主要部件的選定－MOSFET相關(guān) 其2”中說(shuō)明。