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工程師必讀開(kāi)關(guān)電源MOS的8大損耗
發(fā)布時(shí)間：2021年05月12日，查看次數(shù)：461在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算）。 MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分： 1、導(dǎo)通損耗Pon 導(dǎo)通損耗,指在 MOSFET 完全開(kāi)啟后負(fù)載電流（即漏源電流） IDS(on)(t) 在導(dǎo)通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。 導(dǎo)通損耗計(jì)算： 先通過(guò)計(jì)算得到 IDS(on)(t) 函數(shù)表達(dá)式并算出其有效值 IDS(on)…
