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標(biāo)簽:開關(guān)電源變壓器

  • 大功率低壓大電流開關(guān)電源的設(shè)計(jì)

    發(fā)布時(shí)間:2022年04月10日,查看次數(shù):247
    本文介紹了一種大功率低壓大電流開關(guān)電源的設(shè)計(jì)方案,該電源滿載輸出功率為60kW(5000AP12V) ,采用軟開關(guān)移相全橋控制方式,實(shí)現(xiàn)了零電壓軟開關(guān);控制電路中采用了穩(wěn)壓穩(wěn)流自動(dòng)轉(zhuǎn)換方案,實(shí)現(xiàn)了輸出穩(wěn)壓穩(wěn)流的自動(dòng)切換,提高了輸出性能;采用多個(gè)變壓器串并聯(lián)結(jié)構(gòu),使并聯(lián)的輸出整流二極管之間實(shí)現(xiàn)自動(dòng)均流;設(shè)計(jì)并使用了容性功率母排,減小了
  • 開關(guān)電源設(shè)計(jì)前EMI一般應(yīng)對(duì)策略

    發(fā)布時(shí)間:2022年02月17日,查看次數(shù):315
    EMC的分類及標(biāo)準(zhǔn): EMC(Electromagnetic Compatibility)是電磁兼容,它包括EMI(電磁騷擾)和EMS(電磁抗騷擾)。EMC定義為:設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中的任何設(shè)備的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC整的稱呼為電磁兼容。EMP是指電磁脈沖。 EMC = EMI EMS EMI:電磁干擾 EMS:電磁相容性 (免疫力) EMI可
  • 開關(guān)電源之雷擊浪涌大解剖

    發(fā)布時(shí)間:2021年12月06日,查看次數(shù):409
    1)雷擊(主要模擬間接雷):例如,雷電擊中戶外線路,有大量電流流進(jìn)外部線路或接地電阻,因而產(chǎn)生的干擾電壓;又如,間接雷擊(如云層間或云層內(nèi)的雷擊)在線路上感應(yīng)出的電壓或電流;再如,雷電擊中了鄰近物體,在其四周建立了電磁場,當(dāng)戶外線路穿過電磁場時(shí),在線路上感應(yīng)出了電壓和電流;還如,雷電擊中了四周的地面,地電流通過公共接地系
  • 開關(guān)電源中的局部放電

    發(fā)布時(shí)間:2021年11月08日,查看次數(shù):316
    一、局部放電現(xiàn)象 局部放電(partial discharge,簡稱PD)現(xiàn)象,通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強(qiáng)的電場作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電,某個(gè)區(qū)域的電場強(qiáng)度一旦達(dá)到其介質(zhì)擊穿場強(qiáng)時(shí),該區(qū)域就會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短(路橋)接而不形成導(dǎo)電通道為限。每YC局部放電對(duì)絕緣介質(zhì)都會(huì)有一些影響,輕微的局部放
  • 開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)常用的11個(gè)公式

    發(fā)布時(shí)間:2021年10月21日,查看次數(shù):336
    MOSFET開關(guān)管工作的ZD占空比Dmax: 式中:Vor為副邊折射到原邊的反射電壓,當(dāng)輸入為AC 220V時(shí)反射電壓為135V;VminDC為整流后的ZD直流電壓; VDS為MOSFET功率管導(dǎo)通時(shí)D與S極間電壓,一般取10V。 變壓器原邊繞組電流峰值IPK為: 式中:η為變壓器的轉(zhuǎn)換效率;Po為輸出額定功率,單位為W。 變壓器原邊電感量LP:
  • 開關(guān)電源設(shè)計(jì)過程中的十個(gè)經(jīng)驗(yàn)

    發(fā)布時(shí)間:2021年09月21日,查看次數(shù):328
    1、整流橋并聯(lián) 在小功率設(shè)計(jì)中,一般很少用到整流橋的并聯(lián),但在某些大功率輸出的情況下,不想增添新的器件單個(gè)整流橋電流又不滿足輸入功率要求,就需要用到整流橋的并聯(lián)了,整流橋的并聯(lián)不能采用兩個(gè)整流橋各自整流后直流并聯(lián)的方式,也就是不能采用圖1的方式,因?yàn)檎鳂驔]有配對(duì),單純靠自身的V-I特性,一般是無法均流的,這樣就會(huì)造成兩個(gè)
  • 開關(guān)電源該如何設(shè)計(jì)吶?

    發(fā)布時(shí)間:2020年10月11日,查看次數(shù):383
    首先從開關(guān)電源的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)工藝開始描述吧,先說說印制板的設(shè)計(jì)。開關(guān)電源工作在高頻率,高脈沖狀態(tài),屬于模擬電路中的一個(gè)比較特殊種類。布板時(shí)須遵循高頻電路布線原則。1、布局:脈沖電壓連線盡可能短,其中輸入開關(guān)管到變壓器連線,輸出變壓器到整流管連接線。脈沖電流環(huán)路盡可能小如輸入濾波電容正到變壓器到開關(guān)管返回電容負(fù)。輸出部分變壓器出端到整流管到輸出電感到輸出電容返回變壓器電路中X電容要盡量接 近開關(guān)電源輸入端,輸入線應(yīng)避免與其他電路平行,應(yīng)避開。 Y電容應(yīng)放置…
  • 提高變壓器增強(qiáng)電源模塊可靠性

    發(fā)布時(shí)間:2015年12月31日,查看次數(shù):1473
    在開關(guān)電源中,高頻變壓器是進(jìn)行能量儲(chǔ)存和傳輸?shù)闹饕考?。一個(gè)高頻變壓器應(yīng)具有漏感小、線圈分布電容小,各線圈之間的耦合電容也要小的特色。頂源小編給我們敘述下,經(jīng)過改善變壓器的加工技術(shù)來減小漏感和線圈本身的分布電容,進(jìn)步開關(guān)電源的可靠性。初級(jí)線圈的漏感與分布電容在電源高頻變壓器規(guī)劃時(shí),變壓器的漏感和分布電容有必要減至最小,因?yàn)殚_關(guān)電源中高頻變壓器傳輸?shù)氖歉哳l脈沖方波信號(hào)。在傳輸?shù)乃沧冞^程中,漏感和分布電容會(huì)引起浪涌電流和尖峰電壓,以及頂部振動(dòng),構(gòu)成損…
  • 高手的開關(guān)電源設(shè)計(jì)心得之:變壓器反射電壓

    發(fā)布時(shí)間:2017年05月13日,查看次數(shù):855
    高手的開關(guān)電源設(shè)計(jì)心得:布局問題高手的開關(guān)電源設(shè)計(jì)心得之:印制板銅皮走線高手的開關(guān)電源設(shè)計(jì)心得之:鋁基板的應(yīng)用如何確定變壓器反射電壓(即占空比)有網(wǎng)友提到開關(guān)電源的反饋環(huán)路的參數(shù)設(shè)置,工作狀態(tài)分析。由于在上學(xué)時(shí)高數(shù)學(xué)的比較差,《自動(dòng)控制原理》差一點(diǎn)就補(bǔ)考了,對(duì)于這一門現(xiàn)在還感覺恐懼,到現(xiàn) 在也不能完整寫出閉環(huán)系統(tǒng)傳遞函數(shù),對(duì)于系統(tǒng)零點(diǎn)、極點(diǎn)的概念感覺很模糊,看波德圖也只是大概看出是發(fā)散還是收斂,所以對(duì)于反饋補(bǔ)償不敢胡言亂語,但有有 一些建議。如果有一…
  • 開關(guān)電源測試規(guī)范

    發(fā)布時(shí)間:2018年12月16日,查看次數(shù):738
    第一部分:電源指標(biāo)的概念、定義一.描述輸入電壓影響輸出電壓的幾個(gè)指標(biāo)形式1.絕對(duì)穩(wěn)壓系數(shù):A.絕對(duì)穩(wěn)壓系數(shù):表示負(fù)載不變時(shí),穩(wěn)壓電源輸出直流變化量△U0與輸入電網(wǎng)變化量△Ui之比。即:K=△U0/△UiB.相對(duì)穩(wěn)壓系數(shù):表示負(fù)載不變時(shí),穩(wěn)壓器輸出直流電壓Uo的相對(duì)變化量△Uo與輸出電網(wǎng)Ui的相對(duì)變化量△Ui之比。即:S=△Uo/Uo/△Ui/Ui2.電網(wǎng)調(diào)整率:它表示輸入電網(wǎng)電壓由額定值變化±10%時(shí),穩(wěn)壓電源輸出電壓的相對(duì)變化量,有時(shí)也以絕對(duì)值表示。3.電壓穩(wěn)定度:負(fù)載電流保持為額定范圍…
  • 開關(guān)電源變壓器添加繞組并接地作用分析

    發(fā)布時(shí)間:2020年05月27日,查看次數(shù):385
    很多工程師都知道開關(guān)電源變壓器在繞線時(shí)在原邊繞組和副邊繞組之間加一個(gè)繞組并接地可以起到屏蔽作用,但到底是怎么樣一個(gè)機(jī)理?有些工程師并沒有很好的理解。EMI 傳播路徑如下Mosfet/Diode 到散熱片的雜散電容 Cm/Cd;及散熱片到地的雜散電容 Ce 等途徑而耦合到 LISN 被取樣電阻所俘獲。在不加屏蔽的情況下一般的應(yīng)對(duì)措施是在在 Rs 的地端和 C2 的地間接一個(gè) Y 電容(472)。它的作用是雙重的,一是為 Mosfet 動(dòng)作產(chǎn)生且串到變壓器副邊的 noise 電流(如 I4),提供一個(gè)低阻抗的回路…
  • 開關(guān)電源變壓器添加繞組并接地有何意義?

    發(fā)布時(shí)間:2020年05月27日,查看次數(shù):483
    很多工程師都知道開關(guān)電源變壓器在繞線時(shí)在原邊繞組和副邊繞組之間加一個(gè)繞組并接地可以起到屏蔽作用,但到底是怎么樣一個(gè)機(jī)理?有些工程師并沒有很好的理解。EMI 傳播路徑如下Mosfet/Diode 到散熱片的雜散電容 Cm/Cd;及散熱片到地的雜散電容 Ce 等途徑而耦合到 LISN 被取樣電阻所俘獲。在不加屏蔽的情況下一般的應(yīng)對(duì)措施是在在 Rs 的地端和 C2 的地間接一個(gè) Y 電容(472)。它的作用是雙重的,一是為 Mosfet 動(dòng)作產(chǎn)生且串到變壓器副邊的 noise 電流(如 I4),提供一個(gè)低阻抗的回路…
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