標(biāo)簽：igbt
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用SPWM實(shí)現(xiàn)調(diào)頻調(diào)幅輸出的串聯(lián)諧振式電源
發(fā)布時(shí)間：2022年02月11日，查看次數(shù)：377摘 要 介紹了用正弦脈寬調(diào)制（SPWM）技術(shù)實(shí)現(xiàn)調(diào)頻調(diào)幅輸出的串聯(lián)諧振式電源的工作原理。該電源采用了IGBT模塊構(gòu)成的半橋逆變電路，它具有IGBT驅(qū)動(dòng)、過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱保護(hù)及故障鎖定功能。 1 引言 正弦脈寬調(diào)制和變頻調(diào)速技術(shù)在領(lǐng)域的應(yīng)用日見(jiàn)廣泛。許多電力測(cè)試儀器都要求大功率、高性能以滿足電力設(shè)備的測(cè)試要求。目前，市場(chǎng)上的大功率開(kāi) -
多種開(kāi)關(guān)電源輸出濾波器技術(shù)
發(fā)布時(shí)間：2021年03月17日，查看次數(shù)：477二十多年來(lái)，電機(jī)電能效率一直是 能源監(jiān)管機(jī)構(gòu)關(guān)注的重點(diǎn)。這是 共同努力的一部分，旨在通過(guò)增加電能利用率以及使用可再生源發(fā)電，達(dá)到 減少碳排放的目的。早期的電機(jī)效率法規(guī)是自愿的，但很快這些法規(guī)就變成強(qiáng)制性的了，并且每5至10年就會(huì)提高 能效水平要求。鼠籠式感應(yīng)電機(jī)(SQIM)自人類普及用電之后便一直是工業(yè)的主力軍，因?yàn)樗谥苯舆B接三相交流電源后便可開(kāi)始工作。當(dāng)前的IEC標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)功率額定值將這些電機(jī)的效率分為各種等級(jí)，范圍從標(biāo)準(zhǔn)效率(IE1)到超 效率(IE4)。今天，IE… -
現(xiàn)代電力電子及電源技術(shù)的發(fā)展
發(fā)布時(shí)間：2014年05月06日，查看次數(shù)：1568本文闡述了現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展過(guò)程，對(duì)電力電子技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行了描述，論述了現(xiàn)代電源技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)?，F(xiàn)代電源技術(shù)是應(yīng)用電力電子半導(dǎo)體器件,綜合自動(dòng)控制、計(jì)算機(jī)(微處理器)技術(shù)和電磁技術(shù)的多學(xué)科邊緣交叉技術(shù)。在各種高質(zhì)量、高效、高可靠性的電源中起關(guān)鍵作用,是現(xiàn)代電力電子技術(shù)的具體應(yīng)用。當(dāng)前,電力電子作為節(jié)能、節(jié)才、自動(dòng)化、智能化、機(jī)電一體化的基礎(chǔ),正朝著應(yīng)用技術(shù)高頻化、硬件結(jié)構(gòu)模塊化、產(chǎn)品性能綠色化的方向發(fā)展。在不遠(yuǎn)的將來(lái),電力電子技術(shù)將使電源技術(shù)更加… -
全橋DC-DC電源隔離型設(shè)計(jì)方案
發(fā)布時(shí)間：2014年10月25日，查看次數(shù)：2244全橋結(jié)構(gòu)在電路設(shè)計(jì)當(dāng)中有著相當(dāng)廣泛的作用。本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設(shè)計(jì)。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負(fù)電壓輸出，這樣做是為了能夠成為IGBT的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)。并且在實(shí)踐設(shè)計(jì)時(shí)，需要根據(jù)選擇的IGBT開(kāi)關(guān)管參數(shù)和工作頻率，來(lái)確定驅(qū)動(dòng)板電源功率。而后對(duì)原邊共用全橋控制的DC-DC電源設(shè)計(jì)進(jìn)行了介紹，給出了變壓器的選擇方法。IGBT半橋集成驅(qū)動(dòng)板電源特點(diǎn)半橋IGBT的有效驅(qū)動(dòng)和可靠保護(hù)都由半橋IGBT集成驅(qū)動(dòng)板來(lái)實(shí)現(xiàn)。半橋IGBT 集成驅(qū)動(dòng)板自身必須具備兩路DC-DC隔離… -
IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)中的需要注意哪些問(wèn)題
發(fā)布時(shí)間：2015年03月07日，查看次數(shù)：1623IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)中的需要注意哪些問(wèn)題？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、… -
IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)中的必知問(wèn)題
發(fā)布時(shí)間：2015年07月10日，查看次數(shù)：1332IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等… -
全橋DC-DC電源設(shè)計(jì)詳細(xì)解析
發(fā)布時(shí)間：2015年11月30日，查看次數(shù)：1220做模塊電源設(shè)計(jì)的都知道全橋結(jié)構(gòu)在電路設(shè)計(jì)當(dāng)中有著相當(dāng)廣泛的作用。在這里頂源電子小編再介紹另外一種基于全橋DC-DC的隔離電源設(shè)計(jì)。半橋IGBT板為兩組隔離的正負(fù)電壓輸出，這樣做是為了能夠成為IGBT的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)，而且在實(shí)踐設(shè)計(jì)時(shí)候，需要根據(jù)選擇的IGBT開(kāi)關(guān)管參數(shù)和工作頻率，來(lái)確定驅(qū)動(dòng)板電源功率。然后對(duì)原邊共用全橋控制的DC-DC電源設(shè)計(jì)進(jìn)行了介紹，給出了變壓器的選擇方法。一.原邊共用全橋控制的DC-DC電源設(shè)計(jì)本設(shè)計(jì)采用了兩個(gè)變壓器原邊共用，也就是全橋電路控制DC-DC電源變壓… -
dc開(kāi)關(guān)電源過(guò)流、短路保護(hù)原理
發(fā)布時(shí)間：2017年08月20日，查看次數(shù)：1273過(guò)流短路其實(shí)是一個(gè)原理，通過(guò)在輸出端串接一個(gè)檢測(cè)電阻，將需要保護(hù)的電流值轉(zhuǎn)化為電壓值，將此電壓值送入運(yùn)放，與基準(zhǔn)電壓比較，即可得出一個(gè)信號(hào)，用來(lái)控制保護(hù)是否啟動(dòng)。過(guò)流都可以保護(hù)了，那短路其實(shí)就是過(guò)流的極限狀態(tài)，只是此時(shí)由于短路，輸出電壓沒(méi)有了，這時(shí)顆配合初級(jí)的MOSFET的限流電阻控制最大輸出功率，就可實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)。常見(jiàn)電源保護(hù)電路解析評(píng)價(jià)開(kāi)關(guān)電源的質(zhì)量指標(biāo)應(yīng)該是以安全性、可靠性為第一原則。在電氣技術(shù)指標(biāo)滿足正常使用要求的條件下，為使電源在惡劣環(huán)境及突…
