標(biāo)簽：吉時(shí)利
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低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
發(fā)布時(shí)間：2021年10月24日，查看次數(shù)：306半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。 在為半導(dǎo)體器件電氣特點(diǎn)編制準(zhǔn)確的BG時(shí)，比如特殊的NANO-FETs，業(yè)內(nèi)的科研人員、科學(xué)家和工程師都面臨著一個(gè)共同的問(wèn)題。當(dāng)需要證明能夠?qū)嶋H上以簡(jiǎn)便的、可重復(fù)
