電子器件的電源測量通常情況是指開關(guān)電源的測量(當(dāng)然還有線性電源)。講述開關(guān)電源的資料非常多，本文討論的內(nèi)容為PWM開關(guān)電源，而且僅僅是作為測試經(jīng)驗的總結(jié)，為大家簡述容易引起系統(tǒng)失效的一些因素。因此，在閱讀本文之前，已經(jīng)假定您對于開關(guān)電源有一定的了解。

1 開關(guān)電源簡述

開關(guān)電源(Switching Mode Power Supply，常常簡化為SMPS)，是一種高頻電能轉(zhuǎn)換裝置。其功能是將電壓透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。

開關(guān)電源的拓?fù)渲搁_關(guān)電源電路的構(gòu)成形式。一般是根據(jù)輸出地線與輸入地線有無電氣隔離，分為隔離及非隔離變換器。非隔離即輸入端與輸出端相通，沒有隔離措施，常見的DC/DC變換器大多是這種類型。所謂隔離是指輸入端與輸出端在電路上不是直接聯(lián)通的，使用隔離變壓器通過電磁變換方式進(jìn)行能量傳遞，輸入端和輸出端之間是完全電氣隔離的。

對于開關(guān)變換器來說，只有三種基本拓?fù)湫问?，即?/span>

● Buck(降壓)

● Boost(升壓)

● Buck-Boost(升降壓)

三種基本拓?fù)湫问?，是電感的連接方式?jīng)Q定。若電感放置于輸出端，則為Buck拓?fù)?電感放置于輸入端，則是Boost拓?fù)?。?dāng)電感連接到地時，就是Buck-Boost拓?fù)洹?/span>

2 容易引發(fā)系統(tǒng)失效的關(guān)鍵參數(shù)測試

以下的測試項目除了是指在靜態(tài)負(fù)載的情況下測試的結(jié)果，只有噪聲(noise)測試需要用到動態(tài)負(fù)載。

2.1 Phase點(diǎn)的jitter

對于典型的PWM開關(guān)電源，如果phase點(diǎn)jitter太大，通常系統(tǒng)會不穩(wěn)定(和后面提到的相位裕量相關(guān))，對于200~500K的PWM開關(guān)電源，典型的jitter值應(yīng)該在1ns以下。

2.2 Phase點(diǎn)的塌陷

有時候工程師測量到下面的波形，這是典型的電感飽和的現(xiàn)象。對于經(jīng)驗不夠豐富的工程師，往往會忽略掉。電感飽和會讓電感值急劇下降，類似于短路了，這樣會造成電流的急劇增加，MOS管往往會因為溫度的急劇增加而燒毀。這時需要更換飽和電流更大的電感。

2.3 Shoot through測試

測試的目的是看上MOS管導(dǎo)通時，有沒有同時把下管打開，從而導(dǎo)致電源直接導(dǎo)通到地而引起短路。如圖三所示藍(lán)色曲線(Vgs_Lmos)就是下管在上管導(dǎo)通的同時，被帶了起來，如果藍(lán)色曲線的被帶起來的尖峰超過了MOS管的Vth要求，同時持續(xù)時間(Duration)也超過了datasheet要求，從而就會有同時導(dǎo)通的風(fēng)險。當(dāng)然，這是大家最常見到的情況。

下面這種情況有非常多的人會忽視，甚至是一些比較有經(jīng)驗的電源測試工程師。下面組圖四是下管打開，上管關(guān)閉時候的波形(圖4-1是示意圖，圖4-2示實際測試圖)。雖然沒有被同時帶起的情況，但是請注意上下管有交叉的現(xiàn)象，而且交叉點(diǎn)的電平遠(yuǎn)高于MOS管規(guī)定的Vth值，這是個嚴(yán)重的shoot through現(xiàn)象。最直接的后果就是MOS管燒毀!

2.4 相位裕量和帶寬 (phase margin and bandwidth)

相位裕量和帶寬是很多公司都沒有測試的項目(尤其是規(guī)模較小的公司受限于儀器)，但是這卻是個非常重要的測試項目。電源系統(tǒng)是否穩(wěn)定，是否能長時間(3年或以上)有效工作，相位裕量和帶寬可以在很大程度上說起了決定性的作用。很多公司完全依賴于電源芯片廠家給的參考設(shè)計方案里的推薦值，但是跟你的設(shè)計往往有不小的差異，這樣會有很大的潛在風(fēng)險。