如何采用零電壓消除米勒效應。在設計電源時，工程師常常會關注與MOSFET導通損耗有關的效率下降問題。在出現較大RMS電流的情況下，比如轉換器在非連續(xù)導電模式（DCM）下工作時，若選擇Rds（on）較小的MOSFET，芯片尺寸就會較大，從而輸入電容也較大。也就是說，導通損耗的減小將會造成較大的輸入電容和控制器較大的功耗。當開關頻率提高時，問題將變得更為棘手。

圖1是MOSFET導通和關斷時的典型柵電流圖。在導通期間，流經控制器Vcc引腳的峰值電流對Vcc充電；在關斷期間，存儲的電流流向芯片的接地端。如果在相應的面積上積分，即進行篿gate（t）dt，則可得到驅動晶體管的柵電荷Qg 。將其乘以開關頻率Fsw，就可得到由控制器Vcc提供的平均電流。因此，控制器上的總開關功率（擊穿損耗不計）為：

Pdrv = Fsw×Qg×Vcc （1）

如果使用開關速度為100kHz 的12V控制器驅動柵電荷為100nC的MOSFET，驅動器的功耗即為100nC×100kHz×12V=10mA×12V=120mW （2）

圖2 MOSFET中的寄生電容

MOSFET的物理結構中有多種寄生單元，而其中起關鍵作用的是電容，具體見圖2。產品數據表中的三個參數采取如下定義：當源-漏極短路時，令Ciss=Cgs+Cgd；當柵-源極短路時，