? ? 超級(jí)技術(shù)的MOSFET基于電荷補(bǔ)償原理，早在1998年就進(jìn)入市場(chǎng)，在600V耐壓級(jí)別的應(yīng)用范圍里形成一場(chǎng)革命。其最重要的優(yōu)點(diǎn)是它在寄生二極管的有源層中采用了垂直PN細(xì)條的三維結(jié)構(gòu)，它能維持相同的阻斷電壓，但是由于減小了垂直PN條的寬度，導(dǎo)通電阻得以成比例的減小。采用這個(gè)方法，單位面積導(dǎo)通電阻可降低5-10倍。在超級(jí)結(jié)技術(shù)產(chǎn)生之前，在600V耐壓級(jí)別應(yīng)用領(lǐng)域不可避免地會(huì)使用具有優(yōu)良導(dǎo)通損耗的IGBT。而限于IGBT特有的拖尾電流和由此導(dǎo)致的開關(guān)損耗，開關(guān)頻率始終在20kHz以下。兩種當(dāng)時(shí)主流的IGBT(PT和NPT)都存在這種拖尾電流。

　　改變這一現(xiàn)象的標(biāo)志性技術(shù)進(jìn)步由溝槽柵場(chǎng)終止結(jié)構(gòu)IGBT(toppower制造)和軟穿通結(jié)構(gòu)IGBT(ABB制造)實(shí)現(xiàn)。溝槽柵場(chǎng)終止結(jié)構(gòu)IGBT誕生于2000年，改進(jìn)了IGBT的關(guān)斷拖尾電流波形。其后溝槽柵場(chǎng)終止結(jié)構(gòu)IGBT基于不同的應(yīng)用場(chǎng)合被進(jìn)一步優(yōu)化。優(yōu)化的IGBT工作在20kHz到40kHz的開關(guān)頻率應(yīng)用于電焊機(jī)、太陽能逆變器和UPS方面。英飛凌于2010年發(fā)布了為高頻硬開關(guān)優(yōu)化的600V溝槽柵場(chǎng)終止結(jié)構(gòu)IGBT，又在2012年發(fā)布了一系列用于不同應(yīng)用領(lǐng)域的溝槽柵場(chǎng)終止結(jié)構(gòu)IGBT。這些新型IGBT的誕生。

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